DARPA (Defense Advanced Research Projects Agency) ve Raytheon tarafından prototiplenen yeni bir yarı iletken türü, tipik çiplerden çok daha soğuk çalışmayı vaat ediyor. Diamond Foundry ve Stanford’un yardımıyla çipler üzerinde büyütülen elmas kristalleri ise bu durumu mümkün kılıyor. Bu yeni çipler, savaş uçakları, insansız hava araçları ve hava savunma sistemleri için çok daha iyi radarlara yol açabilecek bir atılım.
Defense One tarafından yapılan habere göre Raytheon, DARPA’nın Cihaz Ölçeğinde Elektronikte Isı Giderme Teknolojileri veya THREADS programı kapsamında bu ekstra soğuk galyum nitrür (GaN) yarı iletkenlerini geliştirmek için 15 milyon dolar yardım alıyor. Raytheon’un Yeni Nesil Sensörler ve Mikroelektroniklerden Sorumlu Direktörü Matt Tyhach, Defence One’a şunları söyledi: “Bunu başarmaya çalışmamızın yolu, dünyanın en iyi termal iletkenlerinden bazılarını cihazdaki sıcak noktanın hemen yanına entegre etmektir.”
Elmas, dünyanın en iyi termal iletkenlerinden biridir. Hatta elmas kristali bir tabakayı (wafer) parmak uçlarınız arasına alıp diğer ucunu bir buz küpüne dokundurduğunuzda, tabaka parmak uçlarınızdaki ısıyı aktarıp küpü eritiyordu. Aynı özellik, daha az soğutma gerektiren galyum nitrür yongalarının oluşmasına da yol açabilir.
Galyum nitrür, radar sistemlerinde zaten yaygın olarak kullanılan bir bileşendir ve gelen tehditleri yansıtan emisyonların gücünün en üst düzeye çıkarılmasına yardımcı olur. Ancak tüm elektronik cihazlar gibi ısı sınırlayıcı bir faktör olmaktadır. Konuyla ilgili örnek veren Tyhach, “Termal performans karşılaştırması açısından, günümüzün silikon karabina substratları yaklaşık 300 [ Metre başına Watt-Kelvin ] iletkenliğe sahiptir . Elmas ise 2.000.” ifadelerini kullandı.
